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| Numéro |
J. Phys. IV France
Volume 138, December 2006
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|---|---|---|
| Page(s) | 203 - 212 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:2006138023 | |
| Publié en ligne | 6 janvier 2007 | |
8e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et X :
Applications et développements récents
R. Moncorgé et J.L. Doualan
J. Phys. IV France 138 (2006) 203-212
DOI: 10.1051/jp4:2006138023
1 Institut d'Électronique Fondamentale, UMR CNRS 8622, Université Paris-Sud, Bât. 220, Centre Scientifique d'Orsay, 91405 Orsay Cedex, France
2 SOPRA-SA, 26 rue Pierre Joigneaux, 92270 Bois-Colombes, France
(Publié en ligne le 6 janvier 2007)
© EDP Sciences 2006
R. Moncorgé et J.L. Doualan
J. Phys. IV France 138 (2006) 203-212
DOI: 10.1051/jp4:2006138023
Dopage laser en microélectronique
T. Sarnet1, M. Hernandez2 and D. Débarre1, 11 Institut d'Électronique Fondamentale, UMR CNRS 8622, Université Paris-Sud, Bât. 220, Centre Scientifique d'Orsay, 91405 Orsay Cedex, France
2 SOPRA-SA, 26 rue Pierre Joigneaux, 92270 Bois-Colombes, France
(Publié en ligne le 6 janvier 2007)
Résumé
Les procédés de recuit et de dopage laser du
silicium ont été étudiés de manière intensive au cours
des précédentes décennies. Ces études ont d'ores et
déjà permis un transfert technologique pour la fabrication des
semiconducteurs. Cependant les futures générations CMOS vont
nécessiter des techniques de dopage encore plus fines, capable de
fabriquer les jonctions ultra-minces décrites dans la "roadmap" de
l'ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors). Ce papier
décrit des résultats récents obtenus dans le cadre du RMNT
DOLAMI consacré au dopage laser de jonctions ultra-minces, ainsi que des
applications du dopage laser pour les microtechnologies liées à la
fabrication de MEMS.
© EDP Sciences 2006