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Numéro
J. Phys. IV France
Volume 09, Numéro PR5, May 1999
4e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et X
Applications et développements récents
Page(s) Pr5-77 - Pr5-79
DOI https://doi.org/10.1051/jp4:1999525
4e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et X
Applications et développements récents

J. Phys. IV France 09 (1999) Pr5-77-Pr5-79

DOI: 10.1051/jp4:1999525

Réflectivité et sélectivité spectrale de multicouches B/Si dans le domaine des X-UV. Approche théorique et expérimentale

F. Bridou1, M.-F. Ravet1, A. Raynal1, J.-P. Chauvineau1, B. Agius1, J.-M. André2 and Ph. Troussel3

1  Laboratoire Charles Fabry, IOTA, Centre Universitaire d'Orsay, bâtiment 503, BP. 147, 91403 Orsay cedex, France
2  Laboratoire de Chimie Physique Matière et Rayonnement, URA 176 du CNRS, Université Pierre et Marie Curie, 75231 Paris cedex 05, France
3  CEA, Bruyères-le-Châtel, BP. 12, 91680 Bruyères-le-Châtel, France


Résumé
Le contraste d'indices des deux éléments (B,Si) est en général petit dans le domaine spectral des X-UV, ce qui fait que des écarts d'indices, même faibles, de chacun des éléments constitutifs de la bicouche vont modifier les propriétés optiques du miroir. Il est donc nécessaire d'étudier le mieux possible les caractéristiques de l'empilement afin de prévoir les conditions optimales de réalisation et d'utilisation (de 100 eV à 1 keV)



© EDP Sciences 1999