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Numéro
J. Phys. IV France
Volume 09, Numéro PR5, May 1999
4e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et X
Applications et développements récents
Page(s) Pr5-75 - Pr5-76
DOI https://doi.org/10.1051/jp4:1999524
4e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et X
Applications et développements récents

J. Phys. IV France 09 (1999) Pr5-75-Pr5-76

DOI: 10.1051/jp4:1999524

Détermination de l'épaisseur d'une couche mince par transformation de Fourier de la réflectivité du rayonnement X

E. Gachon1, P. Stemmler1, R. Marmoret1, J.-M. André2 and R. Barchewitz2

1  CEA-DAM/DRIF/SDE, BP. 12, 91680 Bruyères-le-Châtel, France, et, Laboratoire pour l'Utilisation du Rayonnement Électromagnétique, LURE, Université Paris-Sud, 91898 Orsay cedex, France
2  Laboratoire de Chimie Physique, Université Pierre et Marie Curie, UMR 7614 du CNRS, 11 rue Pierre et Marie Curie, 75231 Paris cedex 05, France


Résumé
A partir de mesures de réflectivité spéculaire en rayons X rasants, 1'épaisseur d'une couche mince de carbone déposée sur un substrat de verre a été déterminée. La méthode consiste à effectuer une transformation de Fourier de la réflectivité mesurée en fonction de l'angle d'attaque, ce qui permet d'atteindre la fonction d'autocorrélation du profil d'indice optique et d'en déduire l'épaisseur de la couche superficielle. L'épaisseur déterminée par cette technique est de 120 nm, pour une épaisseur nominale de 100 nm.



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