Absorption X près des seuils (XANES, EXAFS) pour l'étude de la matière dense et tiède

M. Harmand; C. Fourment; S. Hulin; J.J. Santos; O. Peyrusse; F. Dorchies

doi:doi:10.1051/uvx/2009012

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Année: 2009

10.1051/uvx/2009012

Résumé

Open Access

Numéro		UVX 2008 2009 UVX 2008 - 9e Colloque sur les Sources Cohérentes et Incohérentes UV, VUV et X ; Applications et Développements Récents


Page(s)		71 - 76
DOI		https://doi.org/10.1051/uvx/2009012
Publié en ligne		7 juillet 2009

UVX 2008 (2009) 71-76
DOI: 10.1051/uvx/2009012

Absorption X près des seuils (XANES, EXAFS) pour l'étude de la matière dense et tiède

M. Harmand, C. Fourment, S. Hulin, J.J. Santos, O. Peyrusse et F. Dorchies

Université de Bordeaux-CNRS-CEA, Centre Lasers Intenses et Applications (CELIA), 33405 Talence, France

Publié en ligne le 7 juillet 2009

Résumé
Afin de réaliser des expériences de spectroscopie d'absorption résolue en temps, nous avons développé une source X intense et de large bande spectrale. Pour cela, nous avons utilisé le rayonnement de couche M de plasmas de Z élevés, produits par un laser kHz, de durée d'impulsion variable (30 fs–3 ps), aboutissant à une intensité sur cible de 10^15-17 W/cm². Les spectres d'émission expérimentaux ont été étudiés dans la gamme d'énergie 1,50–1,75 keV et optimisés pour sonder le flanc K de l'aluminium. Ils sont comparés à des spectres théoriques obtenus par une simulation HETL. Des spectres d'absorption X (XANES et EXAFS) d'un échantillon d'aluminium froid ont été mesurés.