J. Phys. IV France 108 (2003) 19
DOI: 10.1051/jp4:20030587

Dépôt par ablation laser UV nanoseconde pour la réalisation de composants Télécom

C. Champeaux¹, T. Delage¹, J.C. Orlianges¹, A. Catherinot¹, A. Pothier², J.F. Seaux², P. Blondy², V. Madrangeas² and D. Cros<sup>2

1</sup>  Centre de Projet "Films Minces et Microdispositifs pour Télécommunications", Sciences des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface, SPCTS, UMR 6638 du CNRS, Faculté des Sciences, 123 avenue Albert Thomas, 87060 Limoges cedex, France
²  Centre de Projet "Films Minces et Microdispositifs pour Télécommunications", Institut de Recherches sur les Communications Optiques et Microondes, IRCOM, UMR 6615 du CNRS, 123 avenue Albert Thomas, 87060 Limoges cedex, France

Résumé
Devant la multiplication des standards et des normes de systèmes de télécommunications sans fil, il apparaît un besoin important de composants accordables. Diverses solutions peuvent être envisagées parmi lesquelles, l'introduction de nouveaux matériaux et/ou de nouvelles structures, Micro-systèmes Electro-Mécaniques (MEMS-RF), capables de modifier les propriétés électriques des composants qui en sont constitués. Toutes les applications visées font appel à des techniques de conception adaptées, nécessitant la réalisation de filins minces, aux propriétés électriques et mécaniques parfaitement contrôlées. C'est pourquoi, le procédé de dépôt par ablation laser est un bon candidat notamment car il peut s'intégrer dans les chaînes de fabrication micro-électronique. L'étude que nous développons concerne la réalisation de composants passifs hyperfréquences accordables en utilisant des techniques basées, sur l'élaboration par ablation laser W nanoseconde (KrF 248 nm), d'une part d'hétérostructures (bi et tri-couches) de matériaux ferroélectrique Ba _2/3Sr _1/3TiO ₃ et supraconducteur YBa ₂Cu ₃O et d'autre part, de films pour la fabrication de MEMS.

© EDP Sciences 2003