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Numéro |
J. Phys. IV France
Volume 11, Numéro PR7, Octobre 2001
5e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et XApplications et développements récents |
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Page(s) | Pr7-121 - Pr7-124 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:2001738 |
5e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et X
Applications et développements récents
J. Phys. IV France 11 (2001) Pr7-121-Pr7-124
DOI: 10.1051/jp4:2001738
1 Groupement Interdisciplinaire Ablation Laser et Applications, GPEC, UMR 6631 du CNRS, Faculté des Sciences de Luminy, Case 901, 13288 Marseille cedex 09, France
2 Groupement Interdisciplinaire Ablation Laser et Applications, LP3, FRE 2165 du CNRS, Faculté des Sciences de Luminy, Case 901, 13288 Marseille cedex 09, France
© EDP Sciences 2001
Applications et développements récents
J. Phys. IV France 11 (2001) Pr7-121-Pr7-124
DOI: 10.1051/jp4:2001738
Interaction des photons UV avec le silicium massif et nanocristallin
L. Patrone1, I. Ozerov1, M.L. Sentis2 and W. Marine11 Groupement Interdisciplinaire Ablation Laser et Applications, GPEC, UMR 6631 du CNRS, Faculté des Sciences de Luminy, Case 901, 13288 Marseille cedex 09, France
2 Groupement Interdisciplinaire Ablation Laser et Applications, LP3, FRE 2165 du CNRS, Faculté des Sciences de Luminy, Case 901, 13288 Marseille cedex 09, France
Résumé
L'étude de l'interaction entre photons UV et le silicium massif et nanocristallin par spectrométrie de masse à temps de vol permet de distinguer deux populations de monomères ioniques Si+. Une population rapide est éjectée dès les faibles fluences laser, dont l'origine est attribuée aux répulsions Coulombiennes entre les charges de surface créées par l'émission de photo-électrons. Alors que la fluence d'irradiation est augmentée, une population plus lente apparaît issue de phénomènes thermiques initiés dans le matériau irradié. La mise en évidence d'une population ionique non thermique qui constitue une part importante des ions présents dans la plume laser est un résultat original de cette étude.
© EDP Sciences 2001