Cristallisation du silicium amorphe par laser à excimèresD. Pribat, P. Legagneux, F. Plais, F. Petinot, O. Huet et C. ReitaAnn. Phys. Fr., 22 (1997) C1-213-C1-224DOI: https://doi.org/10.1051/anphys/1997042
